Acuerdo por el que se sujeta al requisito de permiso previo por parte de la Secretaría de Economía la exportación de armas convencionales, sus partes y componentes, bienes de uso dual, software y tecnologías susceptibles de desvío para la fabricación y proliferación de armas convencionales y de destrucción masiva (Continúa de la Cuarta Sección)
| Edición | Matutina |
| Emisor | Secretaría de Economía |
| Fracción Arancelaria TIGIE | Descripción |
| De las siguientes fracciones arancelarias: | |
| 8518.21.99 | Los demás. |
| Unicamente: Proyectores acústicos, incluidos los transductores, que incorporen elementos piezoeléctricos, magnetoestrictivos, electroestrictivos, electrodinámicos o hidráulicos que funcionen por separado o en una combinación determinada y que tengan una densidad de potencia acústica radiada instantánea superior a 0,01 mW/mm²/Hz para los dispositivos que funcionen a frecuencias inferiores a 10 kHz, una densidad de potencia acústica radiada continua superior a 0,001 mW/mm²/Hz para los dispositivos que funcionen a frecuencias inferiores a 10 kHz, o supresión de lóbulos laterales superior a 22 dB. | |
| 8518.22.99 | Los demás. |
| Unicamente: Proyectores acústicos, incluidos los transductores, que incorporen elementos piezoeléctricos, magnetoestrictivos, electroestrictivos, electrodinámicos o hidráulicos que funcionen por separado o en una combinación determinada y que tengan una densidad de potencia acústica radiada instantánea superior a 0,01 mW/mm²/Hz para los dispositivos que funcionen a frecuencias inferiores a 10 kHz, una densidad de potencia acústica radiada continua superior a 0,001 mW/mm²/Hz para los dispositivos que funcionen a frecuencias inferiores a 10 kHz, o supresión de lóbulos laterales superior a 22 dB. | |
| 8518.29.99 | Los demás. |
| Unicamente: Proyectores acústicos, incluidos los transductores, que incorporen elementos piezoeléctricos, magnetoestrictivos, electroestrictivos, electrodinámicos o hidráulicos que funcionen por separado o en una combinación determinada y que tengan una densidad de potencia acústica radiada instantánea superior a 0,01 mW/mm²/Hz para los dispositivos que funcionen a frecuencias inferiores a 10 kHz, una densidad de potencia acústica' radiada continua superior a 0,001 mW/mm²/Hz para losdispositivos que funcionen a frecuencias inferiores a 10 kHz, o supresión de lóbulos laterales superior a 22 dB. | |
| 8518.90.99 | Los demás. |
| Unicamente: Proyectores acústicos, incluidos los transductores, que incorporen elementos piezoeléctricos, magnetoestrictivos, electroestrictivos, electrodinámicos o hidráulicos que funcionen por separado o en una combinación determinada y que tengan una densidad de potencia acústica radiada instantánea superior a 0,01 mW/mm²/Hz paralos dispositivos que funcionen a frecuencias inferiores a 10 kHz, una densidad de potencia acústica radiada continua superior a 0,001 mW/mm²/Hz para los dispositivos que funcionen a frecuencias inferiores a 10 kHz, o supresión de lóbulos laterales superior a 22 dB. | |
| 9014.80.99 | Los demás. |
| Unicamente: Detectores de rumbo; sistemas de cable de fondo o de orilla (bay or bottom cable); equipo de registro sonar de correlación-velocidad y Doppler-velocidad diseñado para medir la velocidad horizontal del equipo portador con respecto al fondo marino; sistemas de detección o localización de objetos; sistemas y equipos acústicos y componentes diseñados especialmente para determinar la posición de buques o vehículos subacuáticos; y sonares activos individuales, diseñados especialmente o modificados para detectar, localizar y clasificar automáticamente los nadadores o buceadores, en los términos comprendidos en el Grupo 6.A.1. |
| 9014.90.99 | Los demás. |
| Unicamente: Detectores de rumbo; sistemas de cable de fondo o de orilla (bay or bottom cable); equipo de registro sonar de correlación-velocidad y Doppler-velocidad diseñado para medir la velocidad horizontal del equipo portador con respecto al fondo marino; sistemas de detección o localización de objetos; sistemas y equipos acústicos y componentes diseñados especialmente para determinar la posición de buques o vehículos subacuáticos; y sonares activos individuales, diseñados especialmente o modificados para detectar, localizar y clasificar automáticamente los nadadores o buceadores, en los términos comprendidos en el Grupo 6.A.1. | |
| 9015.80.99 | Los demás. |
| Unicamente: Equipos acústicos de estudio topográficos del fondo marino: buques de superficie, y equipos de estudio diseñados para cartografía topográfica del fondo marino; equipos subacuaticos diseñados para cartografía topográfica del fondo marino; y Side Scan Sonar (SSS) o de apertura sintética Sonar (SAS), diseñado para obtener imágenes de los fondos marinos, en los términos comprendidos en el Grupo 6.A.1 | |
| Grupo 6.A.2 Sensores o equipos ópticos y componentes de los mismos según se indica: a. Detectores ópticos según se indica: 1. Detectores de estado sólido calificados para uso espacial, según se indica: Nota: A efectos del subartículo 6.A.2.a.1, los detectores de estado sólido incluyen los conjuntos de plano focal. a. Detectores de estado sólido calificados para uso espacial que cumplan todo lo siguiente: 1. Respuesta de pico en una gama de longitudes de onda superiores a 10 nm pero no superiores a 300 nm; y 2. Respuesta inferior a 0,1 % con respecto a la respuesta de pico a longitudes de onda superiores a 400 nm; b. Detectores de estado sólido calificados para uso espacial que cumplan todo lo siguiente: 1. Respuesta de pico en una gama de longitudes de onda superiores a 900 nm pero no superiores a 1,200 nm; y 2. Constante de tiempo de respuesta igual o inferior a 95 ns; c. Detectores de estado sólido calificados para uso espacial que tengan una respuesta de pico en una gama de longitudes de onda superiores a 1,200 nm pero no superiores a 30 000 nm; d. Conjuntos de plano focal calificados para uso espacial que tengan más de 2,048 elementos por conjunto y con respuesta de pico en una gama de longitudes de onda superiores a 300 nm pero no superiores a 900 nm. 2. Tubos intensificadores de imagen y los componentes diseñados especialmente para ellos, según se indica: Nota: El subartículo 6.A.2.a.2. no somete a control los tubos fotomultiplicadores no generadores de imagen con sensor de electrones en vacío que consistan únicamente en alguno de los siguientes componentes: a. Un único ánodo metálico; o b. Anodos metálicos cuya distancia entre centros sea superior a 500 micras. Nota técnica: La multiplicación de carga es una forma de amplificación electrónica de imagen, y se define como la generación de portadores de carga como consecuencia de un proceso de ganancia de ionización por impacto. Lossensores de 'multiplicación de carga' pueden asumir la forma de tubos intensificadores de imagen, de detectoresde estado sólido o de conjuntos de plano focal. a. Tubos intensificadores de imagen que cumplan todo lo siguiente: 1. Respuesta de pico en una gama de longitudes de onda superiores a 400 nm pero no superiores a 1,050 nm; 2. Amplificación electrónica de imagen que emplee cualquiera de los siguientes elementos: a. Placas de microcanal con un paso de agujeros (distancia entre centros) igual o inferior a 12 micras; o b. Un dispositivo sensor de electrones con una distancia entre píxeles sin compresión igual o inferior a 500 micras, diseñado especialmente o modificado para obtener una multiplicación de carga por medios distintos de las placas de microcanal; y 3. Cualquiera de los siguientes fotocátodos: a. Fotocátodos multialcalinos (por ejemplo S-20 y S-25), que tengan una fotosensibilidad superior a 350 mA/lm; |
| a. Fotocátodos multialcalinos (por ejemplo S-20 y S-25), que tengan una fotosensibilidad superior a 350 mA/lm; b. Fotocátodos de GaAs o de GaInAs; o c. Otros fotocátodos semiconductores compuestos III/-V que tengan una sensibilidad máxima de radiación superior a 10 mA/W; b. Tubos intensificadores de imagen que tengan todas las características siguientes: 1. Respuesta de pico en una gama de longitudes de onda superiores a 1,050 nm pero no superiores a 1,800 nm; 2. Amplificación electrónica de imagen que emplee cualquiera de los siguientes elementos: a. Placas de microcanal con un paso de agujeros (distancia entre centros) igual o inferior a 12 micras; o b. Un dispositivo sensor de electrones con una distancia entre píxeles sin compresión igual o inferior a 500 micras, especialmente diseñado o modificado para obtener una multiplicación de carga por medios distintos de las placas de microcanal; y 3. Fotocátodos semiconductores (por ejemplo GaAs o GaInAs) compuestos III/-V y fotocátodos de transferencia de electrones que tengan una sensibilidad máxima de radiación superior a 15 mA/W; c. Componentes diseñados especialmente, según se indica: 1. Placas de microcanal con un paso de agujeros (distancia entre centros) igual o inferiora 12 micras; 2. Un dispositivo sensor de electrones con una distancia entre píxeles sin compresión igualo inferior a 500 micras, especialmente diseñado o modificado para obtener una multiplicación de carga por medios distintos de las placas de microcanal; 3. Fotocátodos semiconductores (por ejemplo GaAs o GaInAs) compuestos III/-V y fotocátodos de transferencia de electrones; Nota: El subartículo 6.A.2.a.2.c.3. no somete a control los fotocátodos semiconductores compuestos diseñados para obtener una sensibilidad máxima de radiación: a. igual o superior a 10 mA/W en la respuesta de pico en una gama de longitud de onda superior a 400 nm pero no superior a 1,050 nm; o b. igual o superior a 15 mA/W en la respuesta de pico en una gama de longitud de onda superior a 1,050 nm pero no superior a 1, 800 nm. 3. Conjuntos de plano focal no calificados para uso espacial, según se indica: N.B.: Los conjuntos de plano focal no calificados para uso espacial de "microbolómetros" sólo se incluyen en el subartículo 6.A.2.a.3.f. Nota técnica: Los conjuntos |
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